Ნაწილი ნომერი :
PHK4NQ10T,518
მწარმოებელი :
NXP USA Inc.
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V SOT96-1
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
-
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
22nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
880pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-65°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SO
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)