Ნაწილი ნომერი :
SI7123DN-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
10.2A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
90nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3729pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® 1212-8