ON Semiconductor - FDD86252

KEY Part #: K6393150

FDD86252 ფასები (აშშ დოლარი) [204910ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18051
  • 2,500 pcs$0.17054

Ნაწილი ნომერი:
FDD86252
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 150V 5A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDD86252 electronic components. FDD86252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD86252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86252 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDD86252
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta), 27A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 985pF @ 75V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.1W (Ta), 89W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-PAK (TO-252)
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ