Ნაწილი ნომერი :
FDD86102LZ
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta), 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
26nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1540pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.1W (Ta), 54W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D-PAK (TO-252)
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63