Infineon Technologies - F475R12KS4B11BOSA1

KEY Part #: K6534459

F475R12KS4B11BOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [789ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$58.82174

Ნაწილი ნომერი:
F475R12KS4B11BOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULE VCES 600V 75A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies F475R12KS4B11BOSA1 electronic components. F475R12KS4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F475R12KS4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F475R12KS4B11BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : F475R12KS4B11BOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULE VCES 600V 75A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 100A
ძალა - მაქსიმუმი : 500W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.75V @ 15V, 75A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 5.1nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NC60VD

    STMicroelectronics

    IGBT 50A 600V ISOTOP.