Microsemi Corporation - APTDF200H100G

KEY Part #: K6539872

APTDF200H100G ფასები (აშშ დოლარი) [1370ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$31.59836
  • 100 pcs$31.45209

Ნაწილი ნომერი:
APTDF200H100G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 255A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTDF200H100G electronic components. APTDF200H100G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTDF200H100G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTDF200H100G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTDF200H100G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 255A SP6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 255A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2.7V @ 200A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP6
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP6

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GBPC1208W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1501W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 100 Volt 15 Amp Glass Passivated

  • GBPC1210W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1202W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1204W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 15 Amp Glass Passivated