Ნაწილი ნომერი :
IPL65R725CFDAUMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 4VSON
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
5.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
725 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
20nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
615pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
62.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Thin-Pak (8x8)
პაკეტი / საქმე :
4-PowerTSFN