Microsemi Corporation - JANTX1N6622

KEY Part #: K6425034

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - JFET ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6622 electronic components. JANTX1N6622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N6622

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/585

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 660V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 1.2A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 660V

Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

პაკეტი / საქმე : A, Axial

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

ცხელი ნაწილები