Ნაწილი ნომერი :
CSD13201W10
მწარმოებელი :
Texas Instruments
აღწერა :
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
2.9nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
462pF @ 6V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.2W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
4-DSBGA (1x1)
პაკეტი / საქმე :
4-UFBGA, DSBGA