[27042ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- K3QF3F30BM-AGCF
- მწარმოებელი:
- Samsung Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- 16 Gb x64 1866 Mbps 1.8 / 1.2 / 1.2 V -25 ~ 85 °C 253FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: DDR4, GDDR5, HBM Flarebolt, LPDDR4X, SLC Nand, LPDDR4, GDDR6 and MODULE ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Samsung Semiconductor K3QF3F30BM-AGCF electronic components. K3QF3F30BM-AGCF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K3QF3F30BM-AGCF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K3QF3F30BM-AGCF პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
K3QF3F30BM-AGCF
მწარმოებელი :
Samsung Semiconductor
აღწერა :
16 Gb x64 1866 Mbps 1.8 / 1.2 / 1.2 V -25 ~ 85 °C 253FBGA Mass Production
სერიები :
DDR3
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
M392A2K43BB0-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.
-
M392A2K43BB0-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.
-
M392A4K40BM0-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.
-
M392A4K40BM0-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.
-
M378A1K43BB1-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
ცხელი ნაწილები
选择你的位置