Vishay Siliconix - IRL630STRRPBF

KEY Part #: K6393081

IRL630STRRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [59860ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.65320
  • 800 pcs$0.61766

Ნაწილი ნომერი:
IRL630STRRPBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRL630STRRPBF electronic components. IRL630STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL630STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL630STRRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRL630STRRPBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1100pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.1W (Ta), 74W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ