GeneSiC Semiconductor - S6DR

KEY Part #: K6425067

S6DR ფასები (აშშ დოლარი) [23353ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.14724
  • 200 pcs$2.13656

Ნაწილი ნომერი:
S6DR
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4. Rectifiers 200V 6A REV Leads Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S6DR electronic components. S6DR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6DR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S6DR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S6DR
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard, Reverse Polarity
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 6A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 6A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე : DO-203AA, DO-4, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-4
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • VS-20ETS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

  • VS-18TQ045SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK.