Microsemi Corporation - 1N485

KEY Part #: K6454925

1N485 ფასები (აშშ დოლარი) [20456ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.12598
  • 225 pcs$2.11540

Ნაწილი ნომერი:
1N485
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N485 electronic components. 1N485 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N485, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N485 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N485
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 180V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 100mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 100mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 25nA @ 180V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AA, DO-7, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-7
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • BAS19-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3