Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-50WQ06FNHM3

KEY Part #: K6454910

VS-50WQ06FNHM3 ფასები (აშშ დოლარი) [48963ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.77767
  • 10 pcs$0.69906
  • 25 pcs$0.65943
  • 100 pcs$0.56180
  • 250 pcs$0.52751
  • 500 pcs$0.46157
  • 1,000 pcs$0.38244
  • 2,500 pcs$0.33682
  • 5,000 pcs$0.33266

Ნაწილი ნომერი:
VS-50WQ06FNHM3
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-50WQ06FNHM3 electronic components. VS-50WQ06FNHM3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-50WQ06FNHM3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-50WQ06FNHM3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-50WQ06FNHM3
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 60V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 5.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 570mV @ 5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 3mA @ 60V
Capacitance @ Vr, F : 360pF @ 5V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-PAK (TO-252AA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • BAS19-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3