Ნაწილი ნომერი :
TSM070NA04LCR RLG
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
91A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
23.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1469pF @ 20V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
113W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-PDFN (5x6)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN