თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. EPC2102ENGRT

EPC - EPC2102ENGRT

KEY Part #: K6523251

EPC2102ENGRT ფასები (აშშ დოლარი) [19716ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.31076
  • 500 pcs$2.29926
Ნაწილი ნომერი:
EPC2102ENGRT
მწარმოებელი:
EPC
Დეტალური აღწერა:
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in EPC EPC2102ENGRT electronic components. EPC2102ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2102ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2102ENGRT პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EPC2102ENGRT
მწარმოებელი : EPC
აღწერა : GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
სერიები : eGaN®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET თვისება : GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6.8nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 830pF @ 30V
ძალა - მაქსიმუმი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : Die
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Die
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.

  • SI4904DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC.

ცხელი ნაწილები