Taiwan Semiconductor Corporation - UF1KHR0G

KEY Part #: K6429009

UF1KHR0G ფასები (აშშ დოლარი) [1225384ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03018

Ნაწილი ნომერი:
UF1KHR0G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL. Rectifiers 1A,800V,75NS,ULTRAFAST RECT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation UF1KHR0G electronic components. UF1KHR0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF1KHR0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF1KHR0G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : UF1KHR0G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DB3X313K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINI3.

  • DA3X107K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • 1SS190TE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

  • S1AFG-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT

  • XBS024S15R-G

    Torex Semiconductor Ltd

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode

  • HERA806G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 80ns 8A 600V Hi Eff Recov Rectifier