HERA806G C0G ფასები (აშშ დოლარი) [307130ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.12043
- Ნაწილი ნომერი:
- HERA806G C0G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 80ns 8A 600V Hi Eff Recov Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HERA806G C0G electronic components. HERA806G C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HERA806G C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HERA806G C0G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
HERA806G C0G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 8A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
80ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
CDSV-21-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 200mA 200mW
-
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rectfr
-
S1AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 600V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
VS-3EJU06HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC. Rectifiers 600V 3A FRED Pt AEC-Q101 Qualified
-
SE20PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.6A DO220AA. Rectifiers 2A, 400V, ESD PROTECTION, SMPA
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置