ON Semiconductor - RHRP8120-F102

KEY Part #: K6447462

RHRP8120-F102 ფასები (აშშ დოლარი) [49221ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.79439

Ნაწილი ნომერი:
RHRP8120-F102
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2. Rectifiers 1200V, 8A, HYPERFAST DIODE
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor RHRP8120-F102 electronic components. RHRP8120-F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RHRP8120-F102, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RHRP8120-F102 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RHRP8120-F102
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3.2V @ 8A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 70ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-2
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MA3X78600L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

  • MA3X74800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 8EWS12S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • 50WQ06FNTRR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.