IXYS - IXFT12N90Q

KEY Part #: K6409909

IXFT12N90Q ფასები (აშშ დოლარი) [7220ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.30916
  • 30 pcs$6.27777

Ნაწილი ნომერი:
IXFT12N90Q
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 900V 12A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFT12N90Q electronic components. IXFT12N90Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT12N90Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT12N90Q პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFT12N90Q
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 900V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2900pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD6670AS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

  • FDD8586

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

  • PSMN2R2-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • BSS84P E6433

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.

  • BSS169 E6906

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

  • BSS169 E6327

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.