Adesto Technologies - AT45DQ321-MHF-Y

KEY Part #: K940196

AT45DQ321-MHF-Y ფასები (აშშ დოლარი) [28488ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.97434

Ნაწილი ნომერი:
AT45DQ321-MHF-Y
მწარმოებელი:
Adesto Technologies
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8UDFN. NOR Flash 32M, 85MHz 2.3-3.6V Serial Flash
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ, PMIC - მძღოლები, კონტროლერები and ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Adesto Technologies AT45DQ321-MHF-Y electronic components. AT45DQ321-MHF-Y can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AT45DQ321-MHF-Y, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AT45DQ321-MHF-Y პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AT45DQ321-MHF-Y
მწარმოებელი : Adesto Technologies
აღწერა : IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8UDFN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH
მეხსიერების ზომა : 32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
საათის სიხშირე : 104MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 8µs, 4ms
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : SPI
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-UDFN Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-UDFN (5x6)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,