IXYS - IXFP22N65X2M

KEY Part #: K6394798

IXFP22N65X2M ფასები (აშშ დოლარი) [33790ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.21968

Ნაწილი ნომერი:
IXFP22N65X2M
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFP22N65X2M electronic components. IXFP22N65X2M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP22N65X2M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP22N65X2M პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFP22N65X2M
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2190pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 37W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220 Isolated Tab
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ