Infineon Technologies - IRF7342PBF

KEY Part #: K6522031

IRF7342PBF ფასები (აშშ დოლარი) [67281ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.51426
  • 10 pcs$0.45364
  • 100 pcs$0.33914
  • 500 pcs$0.26302
  • 1,000 pcs$0.20765

Ნაწილი ნომერი:
IRF7342PBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF7342PBF electronic components. IRF7342PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7342PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7342PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF7342PBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 38nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 690pF @ 25V
ძალა - მაქსიმუმი : 2W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ