Vishay Siliconix - SI1012R-T1-GE3

KEY Part #: K6420701

SI1012R-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [610452ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06059
  • 3,000 pcs$0.05168

Ნაწილი ნომერი:
SI1012R-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI1012R-T1-GE3 electronic components. SI1012R-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1012R-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1012R-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI1012R-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 500mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 0.75nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±6V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 150mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-75A
პაკეტი / საქმე : SC-75A

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ