ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-25DBL-TR

KEY Part #: K937724

IS43DR86400C-25DBL-TR ფასები (აშშ დოლარი) [17855ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.07057
  • 2,000 pcs$3.05529

Ნაწილი ნომერი:
IS43DR86400C-25DBL-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები, მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE), ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები - განაცხადის სპეციფიკ, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი and ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური, ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBL-TR electronic components. IS43DR86400C-25DBL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-25DBL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-25DBL-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43DR86400C-25DBL-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 400ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TWBGA (8x10.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C