Infineon Technologies - IRF7380TRPBF

KEY Part #: K6523187

IRF7380TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [174381ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.21211
  • 4,000 pcs$0.18126

Ნაწილი ნომერი:
IRF7380TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF7380TRPBF electronic components. IRF7380TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7380TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7380TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF7380TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 23nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 660pF @ 25V
ძალა - მაქსიმუმი : 2W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ