Vishay Siliconix - SIR878ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6419090

SIR878ADP-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [91054ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.42942
  • 3,000 pcs$0.40233

Ნაწილი ნომერი:
SIR878ADP-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - სკკ and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIR878ADP-T1-GE3 electronic components. SIR878ADP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR878ADP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR878ADP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIR878ADP-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1275pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5W (Ta), 44.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ