Infineon Technologies - IPP100N06S2L05AKSA2

KEY Part #: K6418509

IPP100N06S2L05AKSA2 ფასები (აშშ დოლარი) [66477ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.58818
  • 500 pcs$0.56009

Ნაწილი ნომერი:
IPP100N06S2L05AKSA2
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPP100N06S2L05AKSA2 electronic components. IPP100N06S2L05AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP100N06S2L05AKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP100N06S2L05AKSA2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPP100N06S2L05AKSA2
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5660pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3-1
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.