Vishay Semiconductor Diodes Division - US1GHE3/5AT

KEY Part #: K6444782

[2331ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    US1GHE3/5AT
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1GHE3/5AT electronic components. US1GHE3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1GHE3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    US1GHE3/5AT პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : US1GHE3/5AT
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 400V
    Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AC (SMA)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • US1GHE3/5AT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

    • SS16HE3/5AT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.

    • GI818-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.

    • SS10PH10HM3_A/H

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers SOA 100V SM Schottky Rect

    • VS-4ESH02HM3/86A

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A.

    • S4PM-M3/86A

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A. Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt