Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4ESH02HM3/86A

KEY Part #: K6444696

VS-4ESH02HM3/86A ფასები (აშშ დოლარი) [300257ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.12319
  • 1,500 pcs$0.11309
  • 3,000 pcs$0.10249
  • 7,500 pcs$0.09542
  • 10,500 pcs$0.09424

Ნაწილი ნომერი:
VS-4ESH02HM3/86A
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-4ESH02HM3/86A electronic components. VS-4ESH02HM3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-4ESH02HM3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4ESH02HM3/86A პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-4ESH02HM3/86A
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
სერიები : FRED Pt®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 930mV @ 4A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 20ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-277, 3-PowerDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-277A (SMPC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BYM11-200-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • SGL41-50-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM

  • BYM13-50-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-SS15-E3

  • BYM13-30-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM

  • US1GHE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

  • SS16HE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.