Vishay Siliconix - SI3457BDV-T1-GE3

KEY Part #: K6406159

[1415ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI3457BDV-T1-GE3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3457BDV-T1-GE3 electronic components. SI3457BDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3457BDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3457BDV-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI3457BDV-T1-GE3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : P-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 19nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.14W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-TSOP
    პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IXTY01N100D

      IXYS

      MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA.

    • AUIRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR3410

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

    • AUIRLR2905Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR2703

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 20A DPAK.

    • AUIRLR2905

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.