Nexperia USA Inc. - BSH111BKR

KEY Part #: K6419572

BSH111BKR ფასები (აშშ დოლარი) [1579220ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02342
  • 3,000 pcs$0.02131

Ნაწილი ნომერი:
BSH111BKR
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 55V SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. BSH111BKR electronic components. BSH111BKR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH111BKR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSH111BKR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSH111BKR
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET N-CH 55V SOT-23
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 210mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 0.5nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 30pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 302mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-236AB
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ