Infineon Technologies - IRLR024ZPBF

KEY Part #: K6411948

[13614ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRLR024ZPBF
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR024ZPBF electronic components. IRLR024ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR024ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR024ZPBF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRLR024ZPBF
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
    სერიები : HEXFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 9.9nC @ 5V
    Vgs (მაქს) : ±16V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 380pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 35W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DMN3026LVT-7

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

    • IRFR3710ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR1010ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.