Vishay Siliconix - SIHH14N65EF-T1-GE3

KEY Part #: K6417501

SIHH14N65EF-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [32848ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.26095
  • 3,000 pcs$1.25467

Ნაწილი ნომერი:
SIHH14N65EF-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH14N65EF-T1-GE3 electronic components. SIHH14N65EF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH14N65EF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH14N65EF-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIHH14N65EF-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 271 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1749pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 156W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 8 x 8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ