Toshiba Semiconductor and Storage - TK10J80E,S1E

KEY Part #: K6417647

TK10J80E,S1E ფასები (აშშ დოლარი) [37612ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.21125
  • 25 pcs$1.20523

Ნაწილი ნომერი:
TK10J80E,S1E
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V TO-3PN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E electronic components. TK10J80E,S1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10J80E,S1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10J80E,S1E პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK10J80E,S1E
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 800V TO-3PN
სერიები : π-MOSVIII
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 250W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-3P(N)
პაკეტი / საქმე : TO-3P-3, SC-65-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ