Microsemi Corporation - JAN1N4150-1

KEY Part #: K6444769

JAN1N4150-1 ფასები (აშშ დოლარი) [49745ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.99926
  • 10 pcs$0.90142
  • 25 pcs$0.80493
  • 100 pcs$0.72436
  • 250 pcs$0.64387
  • 500 pcs$0.56339
  • 1,000 pcs$0.46681

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N4150-1
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4150-1 electronic components. JAN1N4150-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4150-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4150-1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N4150-1
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/231
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 200mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BYM13-30-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM

  • US1GHE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

  • SS16HE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.

  • SS210-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM

  • GI818-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.

  • SS5P9-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 5.0 Amp 90 Volt