Ნაწილი ნომერი :
IRFPG30PBF
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
80nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
980pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247-3
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3