Toshiba Semiconductor and Storage - TK12P60W,RVQ

KEY Part #: K6404167

[2105ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    TK12P60W,RVQ
    მწარმოებელი:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W,RVQ electronic components. TK12P60W,RVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK12P60W,RVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK12P60W,RVQ პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : TK12P60W,RVQ
    მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
    აღწერა : MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
    სერიები : DTMOSIV
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 890pF @ 300V
    FET თვისება : Super Junction
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 100W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DPAK
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • NP60N055VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

    • NP60N04VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.