Ნაწილი ნომერი :
FDPC8011S
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
13A, 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
19nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1240pF @ 13V
ძალა - მაქსიმუმი :
800mW, 900mW
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Powerclip-33