IXYS - IXFJ20N85X

KEY Part #: K6394054

IXFJ20N85X ფასები (აშშ დოლარი) [10022ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.52158
  • 10 pcs$4.06854
  • 100 pcs$3.34518
  • 500 pcs$2.80270

Ნაწილი ნომერი:
IXFJ20N85X
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFJ20N85X electronic components. IXFJ20N85X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFJ20N85X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFJ20N85X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFJ20N85X
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 850V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1660pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 110W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISO TO-247-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ