Ნაწილი ნომერი :
DMN1004UFDF-7
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
15A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
47nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2385pF @ 6V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
U-DFN2020-6
პაკეტი / საქმე :
6-UDFN Exposed Pad