ON Semiconductor - FDD2582

KEY Part #: K6392730

FDD2582 ფასები (აშშ დოლარი) [134181ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.27565
  • 2,500 pcs$0.26367

Ნაწილი ნომერი:
FDD2582
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 150V 21A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDD2582 electronic components. FDD2582 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD2582, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD2582 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDD2582
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta), 21A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1295pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 95W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252AA
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ