Renesas Electronics America - 2SK1058-E

KEY Part #: K6410005

[86ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    2SK1058-E
    მწარმოებელი:
    Renesas Electronics America
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Renesas Electronics America 2SK1058-E electronic components. 2SK1058-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK1058-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK1058-E პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 2SK1058-E
    მწარმოებელი : Renesas Electronics America
    აღწერა : MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 160V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
    Vgs (მაქს) : ±15V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 600pF @ 10V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 100W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-3P
    პაკეტი / საქმე : TO-3P-3, SC-65-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • IXTY1R4N60P

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.