Infineon Technologies - IRFL4105TRPBF

KEY Part #: K6420646

IRFL4105TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [224088ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16506
  • 2,500 pcs$0.14156

Ნაწილი ნომერი:
IRFL4105TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFL4105TRPBF electronic components. IRFL4105TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL4105TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFL4105TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFL4105TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 660pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-223
პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ