Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16CT-E3/81

KEY Part #: K6456211

FESB16CT-E3/81 ფასები (აშშ დოლარი) [84873ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.46070
  • 800 pcs$0.42754

Ნაწილი ნომერი:
FESB16CT-E3/81
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 16 Amp 35ns Single
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16CT-E3/81 electronic components. FESB16CT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16CT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16CT-E3/81 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FESB16CT-E3/81
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 16A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 975mV @ 16A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F : 175pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBD4148-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V

  • SMBD914E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A

  • CDBV1100-HF

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 100V HALOGEN-FREE

  • SD103AW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 350 mA 40 Volt

  • BAV20-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V If/250mA T/R

  • FESB16GTHE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 400 Volt 50ns 250 Amp IFSM