BAV20-TR ფასები (აშშ დოლარი) [3812532ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.00970
- 10,000 pcs$0.00914
- 30,000 pcs$0.00822
- 50,000 pcs$0.00731
- 100,000 pcs$0.00685
- 250,000 pcs$0.00609
- Ნაწილი ნომერი:
- BAV20-TR
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V If/250mA T/R
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV20-TR electronic components. BAV20-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV20-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV20-TR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BAV20-TR
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
150V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
250mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 100mA
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100nA @ 150V
Capacitance @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-35
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
175°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
MMBD4148-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V
-
SMBD914E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
-
CDBV1100-HF
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 100V HALOGEN-FREE
-
SD103AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 350 mA 40 Volt
-
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V If/250mA T/R
-
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 400 Volt 50ns 250 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR
选择你的位置