Vishay Siliconix - SI1028X-T1-GE3

KEY Part #: K6523034

SI1028X-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [979588ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03776
  • 3,000 pcs$0.03594

Ნაწილი ნომერი:
SI1028X-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 30V SC89-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI1028X-T1-GE3 electronic components. SI1028X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1028X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1028X-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI1028X-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 30V SC89-6
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 16pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : 220mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-563, SOT-666
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-89-6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.