Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP30D-E3/73

KEY Part #: K6440318

RGP30D-E3/73 ფასები (აშშ დოლარი) [278337ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13289
  • 2,000 pcs$0.12043

Ნაწილი ნომერი:
RGP30D-E3/73
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 3.0A 150ns 125 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP30D-E3/73 electronic components. RGP30D-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP30D-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP30D-E3/73 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RGP30D-E3/73
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-201AD, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-201AD
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM