IXYS - IXFN40N110Q3

KEY Part #: K6394681

IXFN40N110Q3 ფასები (აშშ დოლარი) [2316ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$19.73236
  • 10 pcs$19.63419

Ნაწილი ნომერი:
IXFN40N110Q3
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN40N110Q3 electronic components. IXFN40N110Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN40N110Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN40N110Q3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN40N110Q3
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 14000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 960W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ