ON Semiconductor - NSR02F30MXT5G

KEY Part #: K6454596

NSR02F30MXT5G ფასები (აშშ დოლარი) [1670025ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02337
  • 10,000 pcs$0.02326

Ნაწილი ნომერი:
NSR02F30MXT5G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200MA X3DFN ULTR
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NSR02F30MXT5G electronic components. NSR02F30MXT5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSR02F30MXT5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSR02F30MXT5G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NSR02F30MXT5G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 600mV @ 200mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 0201 (0603 Metric)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 2-X3DFN (0.62x0.32)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 125°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated